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半導體制程技術邁入3D

發布時間:2011-12-31 00:00:00 分類:行業新聞

   杭州PCB公司-緯亞電子訊:時序即將進入2012年,半導體產業技術持續進行變革,其中3DIC便為未來芯片發展趨勢,將促使供應鏈加速投入3DIC研發,其中英特爾(Intel)在認為制程技術將邁入3D下,勢必激勵其本身的制程創新。另外在半導體業者預期3DIC有機會于2013年出現大量生產的情況下,預估2013年也可視為是3DIC量產元年。

  3DIC為未來芯片發展趨勢,其全新架構帶來極大改變,英特爾即認為,制程技術將邁入3D,未來勢必激勵技術創新。英特爾實驗室日前便宣布與工研院合作,共同合作開發3DIC架構且具低功耗特性的內存技術,此一技術未來將應用在Ultrabook、平板計算機、智能型手機等行動裝置,以及百萬兆級(Exascale)與超大云端數據中心(CloudMega-DataCenters)。

  工研院認為,英特爾擁有多項技術專利,與工研院3DIC研發基礎相互結合,應可使臺灣產業關鍵自主技術,進一步帶動相關產業鏈發展。

  封測業界認為,近期半導體供應鏈在投入3DIC研發方面有加速的現象,很多廠商都加入研發的供應鏈中,包括晶圓廠、封測廠等,在3DIC的研發費用比2010年增加許多,這對發展3D產業是好事,預測3DIC應可望于2013年出現大量生產的情況,應可視為3DIC的量產元年。 杭州PCB|杭州smt

  日月光指出,在邏輯與內存芯片接合的接口標準即WideI/OMemoryBus,已于9月底塵埃落定,加入的半導體成員達上百家,如此將有助于加快廠商開發時程,促使3DIC盡早展開量產。

  力成2011年完成研發中心及業務部門組織的改造,并且于新竹科學園區建立晶圓級封裝、3DIC先進制程及產品研發的實驗工廠,同時也開始興建3DIC先進制程量產工廠。該公司董事長蔡篤恭認為,TSV等3DIC將于2013年量產。

 

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來源:半導體制程技術邁入3D

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